O dokončení vývoje 176vrstvých paměťových čipů NAND s kapacitou 512 gigabitů informovala společnost SK hynix. Novinka pracuje s buňkami TLC a využívá specifickou konstrukci, jíž výrobce označuje mírně zavádějící zkratkou 4D. Její princip spočívá mimo jiné v umístění ovládacích obvodů pod paměťové buňky, což mění prostorové nároky a možnosti modulů.
Vzorky nových paměťových modulů společnost SK hynix v listopadu rozdistribuovala vybraným výrobcům počítačových komponent, kteří otestují jejich možnosti a parametry ve svých připravovaných či stávajících produktech.
Technologii 4D využívá společnost SK hynix zhruba dva roky. Poprvé ji nasadila v kombinaci se svými 96vrstvými paměťovými moduly NAND. Kombinuje v ní dva technologické postupy, konkrétně specifickou strukturu buněk CTF – Charge Trap Flash a konstrukci PUC – Peri. Under Cell. Díky jejich nasazení dosahuje vysoké, podle vlastního vyjádřená nejvyšší v oboru, výtěžnosti čipů z křemíkových plátů. Mezigeneračně vzrostla hustota bitů na plochu o 35 procent. Zvyšování hustoty paměťových buněk ale nepřináší jen pozitiva. Výrobci se musejí vyrovnávat s řadou řekněme konstrukčních výzev.
Představené 176vrstvé moduly jsou již třetí generaci modulů 4D. V mezigeneračním srovnání relativně výrazně navýšily své přenosové parametry. Rychlost čtení buněk vzrostla o 20 procent, rychlost přenosu dat z modulu o třetinu na 1,6 Gb/s. Za těmito změnami stojí zejména implementace nových či odlišných podpůrných technologií.
Nové moduly zamíří v příštím roce nejprve do produktů pro mobilní zařízení. Poté nebo souběžně je chce společnost SK hynix nasadit také do podnikových a spotřebitelských disků SSD. V plánu má jihokorejská firma také vývoj jednoterabitových modulů, pro něž využije stávající technologii.
Podle informací analytické firmy Omdia odebere světový trh letos 431 miliard gigabajtů paměťových modulů NAND. Vyrobeno bude pravděpodobně ještě více. Do čtyř let poptávka vzroste na 1,366 bilionu gigabajtů. Každoročně., v rámci sledovaného období, vzroste o třetinu.
