10nanometrový výrobní postup aplikovala společnost Samsung Electronics na paměťové čipy standardu GDDR6. Oproti předchozí generaci s koncovým číselným označením 5 nové čipy nabízejí zhruba dvojnásobnou přenosovou rychlost a o 35 procent nižší spotřebu elektrické energie.
První 20nanometrové čipy kategorie GDDR5 s kapacitou 8 Gb vyrobila společnost Samsung v prosinci 2014. Jejich přenosová rychlost na jeden pin činila 8 Gb/s. Přechod na 10nanometrový rozměr přináší řadu zjevných výhod. Rychlost přenosu dat na jeden pin se zvýšila na 18 Gb/s. Čip s kapacitou 16 Gb zvládá přesun dat tempem 72 GB/s. Jihokorejská firma navíc významně – o 30 procent - zvýšila výtěžnost křemíkových plátů, resp. efektivitu výroby.
10nanometrové paměti GDDR6 aktuálně směřují do pokročilých grafických karet a systémů. Společnost Samsung v současnosti stejný postup výroby aplikuje i na běžné čipy typu DRAM pro osobní počítače, servery a mobilní zařízení. Produkce 10nanometrových pamětí GDDR6 ovšem není jedinou čerstvou novinkou v jejím polovodičovém portfoliu. Jen o několik dnů dříve začala vyrábět moduly HBM2 DRAM s kapacitou 8 GB. Jejich přenosová rychlost na pin činí 2,4 Gb/s.
