Technologie Carbon NanoTube NVRAM, kterou vyvíjí společnost Nantero, láká investiční fondy významných firem z oboru ICT. Potenciální konkurent výrobců paměťových čipů 3D XPoint aktuálně spolupracuje s více než tuctem partnerů na přípravě produkční fáze. První moduly NRAM se mají na trhu objevit příští rok.
Paměťová technologie Carbon NanoTube NVRAM společnosti Nantero přilákala v aktuálním investičním kole několik významných fondů, jež do podniku vložily 29 milionů dolarů. Celkem firma v posledních letech získala již 120 milionů dolarů. Mezi strategickými investory figurují fondy Dell Technologies Capital, Cisco Investments, společnost Kingston Technology a tři další blíže nespecifikovaní hráči z polovodičového průmyslu.
Jejich společným cílem je přivést paměti CNT NVRAM, pro něž firma Nantero drží ochrannou známku NRAM, co nejrychleji na výrobní linky. Ty se podle informací vývojářů ani nebudou muset nijak zásadně přebudovávat či inovovat. Díky tomu lze očekávat, že novinka na poli NVRAM nabídne atraktivnější ceny než stávající konkurence, zejména 3D XPoint z dílen firem Intel a Micron. Zapojení investičních fondů technologických společností navíc naznačuje, že to s moduly CNT NVRAM myslí velmi vážně.
Společnost Nantero nehodlá budovat vlastní výrobní kapacity. Využije obchodní model, s nímž úspěšně pracuje například firma ARM Holdings. Chce tedy paměti CNT NVRAM licencovat partnerům.
A co vlastně Nantero připravuje? Mimo jiné hodlá produkčním partnerům nabídnout samostatné nevolatilní moduly kompatibilní se standardem DDR4. Vedle schopnosti udržet data jim budou konkurovat nižší cenou a srovnatelnými výkonnostními parametry. V portfoliu firmy figurují rovněž samostatné čipy, které poslouží jako vyrovnávací paměti pevných disků SSD a HDD. Díky potenciálně vyšší kapacitě a cenové dostupnosti pamětí CNT NVRAM by mohlo dojít k citelnému nárůstu výkonů při ukládání a načítání dat. Atraktivní variantu představují rovněž připravované vestavěné paměťové moduly s miniaturními rozměry, které dokáží pracovat – v rychlostech blízkých standardu DRAM - i za velmi vysokých teplot. O jejich perspektivním nasazení lze uvažovat zejména v průmyslových aplikacích.
