Hustotu záznamu v pamětích typu PCM zvyšuje společnost IBM. V horizontu dvou až tří let by na trh mohly dorazit moduly schopné uložit tři bity do jedné buňky. Většímu rozšíření pamětí typu PCM brání vysoká cena, která je důsledkem nízkých objemů výroby.
Původní tržní vize považovaly technologii PCM za levnější alternativu k DRAM a rychlejší náhradu NAND. Prozatím se ale objevují jen v omezeném spektru zařízení. Zejména díky nízkým objemům výroby jejich cena neodpovídá původním představám. Nově představená tříbitová technologie by situaci mohla změnit. Přichází po dvoubitové variantě, kterou firmy IBM představila v roce 2011.
Moduly osazené pamětmi PCM by mohly tvořit další rychlou vrstvu mezi operační pamětí a úložištěm. Oproti flashovým konkurentům nabízejí rychlejší reakci a delší životnost. PCM odpoví na požadavek do jedné mikrosekundy, NAND potřebuje typicky 70 mikrosekund. Průměrný flash disk zvládne tři tisíce zápisových cyklů, v případě PCM jde o 10 milionů.
Mezi rozvíjející se typy pamětí ale nepatří jen PCM. Podobné ambice mají i technologie RRAM, MRAM, Memristor nebo 3D XPoint. Popularitu si získávají mimo jiné i díky vnitropaměťovým výpočtům, které využívají některá databázová řešení.
Typ pamětí PCM – Phase-Change Mamory byl americkými vědci zkoumán od 60. let minulého století. Jejich materiální základ představují dvouprvkové sloučeniny známé jako chalkogenidy. Ty při průchodu elektrického proudu mění strukturu z krystalické na amorfní a naopak. Každá ze dvou fází rovněž vykazuje jinou vodivost.
