Ještě letos chce společnost Micron uvést na trh první generaci svých pamětí typu HBM DRAM. Na jejich vývoji pracovala dva roky. Micron tímto krokem vstoupí do rostoucího segmentu pamětí pro aplikace náročné na přenosové pásmo. Moduly HBM se uplatňují především v kombinaci s výkonnými grafickými nebo síťovými procesory.
V portfoliu společnosti Micron, dlouhodobě třetího největšího světového výrobce paměťových produktů, dosud paměti typu HBM – Hight Bandwith Memory chyběly. V letošním roce se ale situace změní. Zájemci si je budou moci pořídit od všech tří největší producentů, tj. společností Samsung, SK Hynix a Micron.
Pozdní vstup amerického výrobce do segmentu má své historické důvody. Společnost Micron se do roku 2018 soustředila na vývoj modulů standardu GDDR5X a technologie HMC – Hybrid Memory Cube. Ta od roku 2011 konkurovala aktuálně preferovanému typu HBM. Původně se na jejím vývoji podílely vedle Micronu také firmy Samsung a IBM. Moduly HMC nalezly uplatnění zejména ve výpočetních akcelerátorech a v superpočítačích. Posléze ale ustoupily šířící se technologii HBM a její nástupkyni HBM2. Od roku 2018 se firma Micron v kategorii výkonných pamětí zaměřuje právě na vývoj produktů dle standardů HBM a GDDR6.
Bližší specifikace o premiérových modulech americký producent polovodičů nezveřejnil. Komentátoři předpokládají, že využijí firemní 10nanometrový výrobní proces druhé nebo třetí generace, a ze půjde o konkurenceschopné produkty k nabídkám společností Samsung a SK Hynix. V letošním roce Micron zahájil také dodávky vzorků pamětí standardu DDR5.
