Výrobu nového typu nevolatilních pamětí s názvem 3D XPoint spustily společnosti Intel a Micron. Oproti současným technologiím NAND nabízejí výrazně vyšší hustotu paměťových bodů, nové materiály, vyšší rychlost i odolnost.
Podle mínění zástupců firem Intel a Micron jde o první novou kategorii počítačových pamětí od představení NAND flash v roce 1989. Pravděpodobně však mají na mysli nevolatilní typy, tj. ky, které udrží obsah i bez přístupu k elektrickému proudu. Oproti současným NAND má 3D Xpoint nabídnout až tisíckrát vyšší rychlost přenosu a odolnost, tj. počet cyklů.
Technologie 3D XPoint je výsledkem desetiletého výzkumu a vývoje. Byla navržena tak, aby uspokojila poptávku pro nevolatilní, výkonné, odolné a vysokokapacitní paměti za dostupnou cenu. Jde o novou třídu nevolatilní paměti, jež významně snižuje latence a umožňuje uložení podstatně vyšších datových objemů v blízkosti procesoru, tvrdí výrobci.
Architektura křížových bodů bez tranzistorů vytváří trojrozměrnou šachovnici, na níž jsou paměťové buňky situovány do průsečíku řádků, což umožňuje individuální přístup k jednotlivým buňkám. V důsledku toho lze data zapisovat i číst v malých objemech, což vede k rychlejšímu a efektivnějšímu procesu zápisu a čtení.
Další detaily týkající se technologie 3D XPoint:
Křížová struktura relé – Vertikální vodiče spojují 128 miliard hustě poskládaných paměťových buněk. Každá paměťová buňka uchovává jednu část dat. Tato kompaktní struktura má za výsledek vysoký výkon a hustotu.
Vrstvení – Vedle úzké struktury relé jsou paměťové buňky vrstveny v několika vrstvách. Původní technologie ukládá 128 GB na čip ve dvou vrstvách. Budoucí generace této technologie mohou zvýšit počet paměťových vrstev nad tradiční litografické škálování a tím dál zlepšit systémové funkce.
Selektor – Přístup a následné čtení a zápis k paměťovým buňkám probíhá podle proměnlivého napětí odeslaného na každý selektor. Díky tomu není potřeba tranzistorů, zvyšuje se kapacita a snižují náklady.
Rychle přepínané buňky – Díky malé velikosti buněk, rychle přepínaným selektorům, nízko-latenčnímu křížovému relé a rychlému algoritmu zápisu dokáže buňka přepínat stavy rychleji než kterákoli jiná dnešní technologie nevolatilní paměti.
