Na konferenci Samsung Tech Day 2019 představil jihokorejský producent elektroniky dva 7nanometrové čipy pro mobilní zařízení. Prvním je osmijádrový procesor Exynos 990, druhým modem 5G Exynos Modem 5123. Jejich masovou výrobu zahájí firma Samsung Electronics ještě před koncem letošního roku.
Oba nové čipy mají podporovat mobilní zařízení především při intenzivním sledování a zpracování videa a v zapojení umělé inteligence, tj. v datově náročných disciplínách. Vyráběny budou s pomocí 7nanometrové technologie, která využívá proces EUV – Extreme Ultra-Violet. Na trhu, resp. v mobilních zařízeních se objeví nejspíše v první polovině příštího roku. Vzhledem k situaci na trhu a informacím z letošního léta se společnost Samsung pravděpodobně nebude bránit ani zájmu třetích stran o odběr těchto čipů. Primárně je však nasadí ve svých vlajkových zařízeních.
Procesor Exynos 990 využívá grafický modul ARM Mali-G77. Ten pracuje s architekturou Valhall, přičemž zvyšuje grafický výkon i efektivitu spotřeby oproti svým předchůdcům až o 20 procent. Procesor pracuje s osmi jádry v tzv. tri-cluster uspořádání. Kombinuje tedy tři typy. Dvě výkonná jádra pocházejí od Samsungu, pravděpodobně, ale neoficiálně, jde o architekturu Mongoose 5, další dvě z výkonnějších jsou standardní ARM Cortex-A76 a energeticky úsporné činnosti zajistí čtyři jádra ARM Cortex-A55. Uvedená kombinace naznačuje, že Samsung změnil přístup k vývoji vlastních jader, ale zcela tuto myšlenku neopustil.
Výpočty z oblasti umělé inteligence si v rámci čipu SoC převezme dvoujádrová jednotka NPU – Neural Processing Unit. Data tedy nemusejí opouštět zařízení, jejich zpracování proběhne v rámci přístroje. Inovovaný koprocesor DSP – Digital Signal Processor disponuje výkonem převyšujícím deset bilionů operací za sekundu. Paměťové moduly využijí standard LPDDR5 s přenosovými rychlostmi až 5500 Mb/s. Procesor podporuje také ovladač pro 120Hz displeje. Integrovaný čip ISP – Image Signal Processor dokáže spolupracovat až se šesti obrazovými senzory.
Modem 5G Exynos Modem 5123 patří mezi první moduly svého druhu, které budou vyráběny 7nanometrovým procesem EUV. Podporuje v podstatě všechna současné typy telekomunikačních sítí od 2G až po 5G včetně mmWave.
