Masovou produkci vestavných pamětí standardu eUFS 2.1 s úložnou kapacitou jeden terabajt zahájila společnost Samsung Electronics. Nový modul se velmi pravděpodobně objeví v telefonech Galaxy S10, které jihokorejská firma představí 20. února. Čip mimo jiné umožní sekvenční čtení dat rychlostí až 1 GB/s.
Velké úložné kapacity již nejsou výhradní doménou osobních počítačů. Společnost Samsung Electronics zahájila masovou produkci jednoterabajtových čipů standardu eUFS 2.1, které zamíří primárně do chytrých mobilních telefonů. Ty se nově mohou zcela obejít bez dodatečných paměťových karet.
Nový čip standardu eUFS 2.1 má stejné rozměry jako jeho přímý 512gigabajtový předchůdce, jehož výrobu společnost Samsung zahájila vloni v listopadu. Konkrétně jde o plochu 11,5 x 13 milimetrů. V ní se ukrývá 16 vrstev 512gigabitových čipů V-NAND a řadič. Svými výkony modul předčí většinu disků SSD. Sekvenční čtení dat zvládá rychlostí až 1 000 MB/s. Hodnota náhodného přístupu dosahuje 58 000 IOPS. Tyto přenosové parametry umožní například velmi rychlé pořizování fotografií. Údajně půjde až o 960 snímků za sekundu v >>multikamerových<< modulech současných mobilních telefonů.
Úložný modul s kapacitou 1 TB by se měl objevit v nové vlajkové lodi společnosti Samsung,, tj. v modelové řady Galaxy S10. Firma by ji měla představit letos 20. února.
eufs-1tb_main_400
