Trojrozměrné paměťové čipy NAND začnou společnosti Intel a Micron masově produkovat ve druhé polovině letošního roku. Jejich společně vyvinutá technologie údajně nabízí trojnásobnou hustotu záznamu oproti konkurenčním řešením 3D NAND. Funkční série čipů již dodávají svým partnerům.
Na vícevrstvé flashové paměti se zaměřuje hned několik výrobců polovodičů. Stejně jako v jiných typech čipů chtějí s jejich pomocí navýšit kapacity, zvýšit přenosové rychlosti a prodloužit životnost. Vedle společnosti Samsung, která se věnuje – a již i produkuje minimálně ve variantě MLC - vlastní technologii V-NAND, se na vývoj trojrozměrných pamětí flash zaměřují například firmy Toshiba a SanDisk. Ty chtějí na jeden čip integrovat 48 vrstev. Tím o 12 „pater“ převyšují ohlášené záměry Intelu a Micronu i Samsungu.
Všechny zúčastněné firmy však volí mírně odlišná technologická řešení. Vždy však využívají koncepty MLC (Multi-Level Cell) nebo TLC (Triple-Level Cell). Ty umožňují ukládat dva nebo tři bity na tranzistor. Tradiční SLC (Single-Level Cell) pracuje vždy s jedním bitem.
Vzorové čipy 3D NAND flash o kapacitě 256 Gb (MLC), které tvoří 32 jednorozměrných vrstev, nyní firma Micron dodává svým partnerům. Masová produkce má být zahájena ve druhé polovině roku. Ve stejné době dojde i na výrobu vzorku čipů TLC, jež nabídnou kapacitu 384 Gb. Zástupci obou firem oznámili, že se blíží doba pevných disků SSD s kapacitou převyšující 10 TB a disků USB či karet SD s kapacitou 3,5 GB.
3dnand_200
nand_200_01
