Údajně první osmigigabajtový mobilní paměťový modul, resp. čip typu LPDDR4 představila společnost Samsung. Novinka směřuje zejména do prémiových zařízení s rozlišením Ultra HD. Jihokorejská firma má za to, že vysoká kapacita čipu mimo jiné umožní provozovat virtuální stroje v tabletech.
Pro jeho výrobu jihokorejská firma využívá 10nanometrový proces. Díky němu čip oproti 20nanometrové generaci zdvojnásobil svou úložnou kapacitu a významně zvýšil přenosové rychlosti při zachování zhruba stejné energetické náročnosti.
Představený paměťový modul má vyhovovat současným i budoucím požadavkům prémiových mobilních zařízení. Ta jsou běžně vybavena duálním fotoaparátem, obrazovkou s rozlišením 4K a podporují aplikace a periferie virtuální reality.
Samotný paměťový modul je složen ze čtyř 16gigabitových čipů LPDDR4 – Low Power, Double Data Rate 4. Pro jejich výrobu jihokorejská firma využívá 10nanometrový proces. Díky němu čip oproti 20nanometrové generaci zdvojnásobil svou úložnou kapacitu při zachování stejných rozměrů a zhruba stejné energetické náročnosti. Současně významně zvýšil přenosové rychlosti, které dosahují hodnoty 4,266 Gb/s na jeden pin. Tím dvojnásobně překonává běžné paměti typu DDR4 DRAM pro osobní počítače.
Rozměry modulu činí 15 x 15 x 1 mm. Díky malé tloušťce lze paměťový modul vertikálně integrovat s pamětí flash nebo mobilním procesorem. Výrobci zařízení tak získají prostor na základní desce, na kterou mohou umístit jiné prvky.
V srpnu 2015 přestavila společnost Samsung 20nanometrový čip LPDDR4 DRAM s kapacitou 12 Gb. Po čtrnácti měsících přichází s 10nanometrovým nástupcem. Ten nabízí kapacitu 16 Gb.
