Rozvíjející se kalifornská společnost Crossbar vyvinula technologii, která zabraňuje náhodnému přechodu elektronů v paměťových buňkách RRAM. První moduly 3D RRAM dorazí na trh počátkem roku 2016 a nejspíše rychle odsunou dnešní NAND do pozadí.
Technologii 3D RRAM – Resistive RAM ohlásila společnost Crossbar v polovině roku 2013. Nyní odstranila poslední technický nedostatek v podobě náhodného přechodu elektronů mezi paměťovými buňkami. Ten výrobci pamětí typu NAND řeší s pomocí kontrolních kódů a v případě trojrozměrných čipů již nezmenšují výrobní postup, aby nezvyšovaly pravděpodobnost chyb. Technologie firmy Crossbar, která se věnuje vývoji RRAM, paměťové buňky chrání s pomocí specifického nastavení voltáže. Veškeré impulsy v rozmezí -1 a +1 voltu jsou ignorovány. Tím je minimalizováno nebezpečí náhodného pohybu elektronů a jejich vlivu na paměťové buňky. Postup nese označení FAST – Field Assisted Superlinear Treshold.
Problémy s chybovostí modulů NAND se objevily po zmenšení výrobního postupu pod 20 nanometrů. Právě na této hodnotě by ale výroba 3D RRAM měla začít. Produkční postupy jsou navíc kompatibilní se starší NAND. To by mělo rozjezd masové výroby urychlit.
Technologie RRAM nebo ReRAM patří do skupiny nevolatilních paměťových řešení. Využití najde tedy všude tam, kde je dnes využívána starší NAND. Týká se to i disků SSD. Oproti NAND nabízí RRAM desetinásobnou hustotu paměťových buněk na stejném prostoru, dvacetinásobně nižší energetické nároky na uložení jednoho bitu a stonásobně nižší latenci. Životnost čipů RRAM dosahuje 100 milionů zápisových cyklů. V případě NAND jde o 100 tisíc.
V roce 2016 by se měly objevit první čipy technologie 3D RRAM na trhu. Zamíří nejspíše do nositelné elektroniky. V dalších 18 měsících se 3D RRAM objeví i v discích SSD.
