Společnost Samsung Electronics zahájila výrobu paměťových čipů typu DDR3 založenou na 20nm výrobní technologii. Produkční cyklus využívá imerzní litografii s laserem na bázi argonu a fluoru. Ta umožňuje využít 20nanometrový výrobní proces a zvýšit kapacitu čipu na 4 GB.
V případě pamětí typu DRAM, u nichž se každá paměťová buňka skládá z navzájem propojeného kondenzátoru a tranzistoru, představuje další miniaturizace oproti typu NAND Flash, kde je přítomen pouze tranzistor, mnohem obtížnější úkol. Pro další zmenšení složitějších paměťových čipů typu DRAM musel Samsung upravit technologie používané při návrhu a výrobě paměťových obvodů. Přišel s technologií dvojité expozice a upraveným postupem nanášení atomové vrstvy.
Nový postup společnosti Samsung je průlomovým krokem vpřed, neboť umožňuje produkovat paměti DDR3 s použitím 20nm výrobního procesu na stávajících fotolitografických zařízeních. Současně poskytuje základ pro budoucí výrobu DRAM čipů na bázi 10nm výrobního procesu. Společnost Samsung také úspěšně vytvořila ultratenké dielektrické vrstvy z kondenzátorů nebývalé pravidelnosti, což umožňuje dosáhnout lepších výkonnostních parametrů paměťové buňky.
Použitím těchto technologií při výrobě nových 20nm DDR3 DRAM se společnosti Samsung podařilo také zvýšit produktivitu výroby, která je nyní ve srovnání s dřívější 25nm technologií pro výrobu DDR3 o více než 30 procent vyšší a ve srovnání s 30nm technologií dokonce dvakrát vyšší. Nové moduly založené na 20nm DDR3 s kapacitou 4 GB kromě toho dokáží ušetřit až 25 procent elektrické energie spotřebované srovnatelnými moduly vyrobenými pomocí předchozí 25nm výrobní technologie.
Podle údajů z průzkumu trhu provedeného společností Gartner vzroste globální trh s paměťovými moduly DRAM z 35,6 miliardy dolarů v roce 2013 na 37,9 miliardy dolarů v roce 2014.
